전체 RF전반 안테나 시뮬레이션 SI/PI/EMI 총 게시물 2,753건, 최근 0 건 안내 글답변 · 이름 · 패스워드 · 이메일 · 홈페이지 · 옵션 html · 분류 선택하세요RF전반 안테나 시뮬레이션 SI/PI/EMI · 제목 · 내용 > > > 모든 회로는 V=IR 개념에 충실합니다. > 입력임피던스가 50옴 이라고 하면 회로에 직렬로 50옴 저항이 연결되어 있다고 보면 되고, 10A의 전류원이라고 하면 500V가 되어야 10A가 50옴에 흐로게 되고, 전력은 5000W가 되겠네요.. > 그런데 5V가 걸리는 것은 10A 상전류원의 최대 드리이브 전압이 5V 밖에 되지 않기 때문 입니다. > 이나면, 10A 상전류원의 출력임피던스가 50옴 일때도 질문자분의 측정치와 같이 측정되게 됩니다. > > 도움이 되셨는지요?? > 더 궁금하신점 있으시면 이메일로 문의 주세요. > > > > > > > 저는 질문을 잘 이해를 못했네요. > > '10A 전류를' -> '10V, 50ohm load의 전압을' 이렇게 바꾸면 어찌 이해가 가능할 듯도 싶은데요. > > > > 오실로스코프도 V=IR 이 동일하고, > > 오실로스코프는 전류/전압 미터가 아닐 뿐입니다. > > > > > > > > > > > 오실로스코프 input resistance에 관해 질문이 있습니다. > > > 제가 만약 10A의 전류를 50옴으로 설정된 오실로스코프에 입력 했다고 치면 > > > 이 계산식이 10 x 50/100 이 되어 5V의 전압이 걸리더군요. > > > 1M 옴으로 설정된 오실로스코프에 연력하면 10V가 걸리고요. > > > 일반 V=IR의 개념이 아닌 비율 개념인듯 한데 정확하게 알려주실수 있나요? > > > > > > > > > > > > 임시저장 · 파일 + - · 자동등록방지 자동등록방지 숫자음성듣기 새로고침 자동등록방지 숫자를 순서대로 입력하세요.   글저장  목록