전체 RF전반 안테나 시뮬레이션 SI/PI/EMI 총 게시물 2,819건, 최근 5 건 안내 글답변 · 이름 · 패스워드 · 이메일 · 홈페이지 · 옵션 html · 분류 선택하세요RF전반 안테나 시뮬레이션 SI/PI/EMI · 제목 · 내용 > > > 22pF를 사용하고 있으며, ESD contact 조건은 150pF/330ohm입니다. > 시료는 10대정도 테스트 진행하였으며 22pF로 변경시 모두 pass되는 상황입니다. > > series cap.을 통한 ESD protection은 위에 다른분께서 언급하신 바로 HPF로서 > defence 되는것으로 보이는데요... > > 1. ESD protection diode(TVS)가 왜 기본적으로 못막았었을까.... > 2. 그림상 표현은 안되었지만 TVS와 A 사이에 bypass cap.이 있었으나 그것도 왜 못막았을까... > 3. series cap.으로 막았다고 할 경우, ESD energy는 어디로 빠져나갈까... (ESD 때린후 cap. 양단 전압은 0.xV정도) > > 입니다... ESD 참 어렵네요... > > > > > > > 커패시터 값이 얼마인지 궁금하네요. > > 그리고 일반적으로 커패시터 ESD 저감용은 병렬 연결해야 하는데요. > > 그 이유는 ESD도 주파수 성분을 함유 하므로 바이패스 개념으로 빠르게 그라운드로 보내야 하기 > > 때문인데요. > > 실험상에서 커패시터 직렬 연결시 효과가 있다고 하니 ... > > 혹시 몇 대의 시료로 검토되셨는지요? > > 궁금하네요.. > > > > 직렬 연결은 바람직하지 않은대요. TVS 다이오드 하나 더 달아서 테스트해보심이.... > > > > > > > > > 유첨 사진과 같이 External antenna port에 ESD 인가시 > > > Device가 죽는 상황입니다. (A=0ohm) > > > > > > A 자리를 Capacitor로 변경시 ESD protection되고 있는 상황인데요. > > > cap의 어떤 원리로 protection이 되는지 이해가 되지 않고 있습니다. > > > > > > 고수분들의 답변 기다리겠습니다. > > > > > > > > > > > > 임시저장 · 파일 + - · 자동등록방지 자동등록방지 숫자음성듣기 새로고침 자동등록방지 숫자를 순서대로 입력하세요.   글저장  목록