유전율을 입력하셨다면 시뮬레이션에 반영된겁니다.
HFSS에서 시뮬레이션하실때 probe를 제외하고 측정에는 포함하여 측정하셔서 결과의 차이가 발생한것 같습니다.
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> 안녕하세요, HFSS 시뮬레이션 및 S-parameter 측정 결과와 관련해서 질문 드리고 싶은 부분이 있어 글을 올립니다.
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> RF 마이크로 소자를 연구하고 있는데, glass wafer 위에 AlN (piezo 물질) 절연층이 있고, 그 위에 CPW 전극이 있습니다. (GSG 프로브)
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> 소자가 off 상태일 때는 cap과 같습니다.
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> HFSS 시뮬레이션을 진행했을 때는 전형적인 cap의 s-parameter 와 스미스 차트를 확인했는데요
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> 직접 VNA로 측정한 결과 S21, S11이 첨부 사진의 오른쪽 위와 같았고 스미스 차트에서는 capacitance 영역으로 내려가지 않고 inductance 영역으로 올라가는 모습을 보였습니다.
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> 현재 제 생각으로는, AlN이 piezo 물질인 것이 시뮬레이션에 반영이 되어 있지 않아 측정과 괴리가 생겼다고 생각하고 있습니다..
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> 제 질문을 요약하면 다음과 같습니다.
> 1. CPW 하부 절연층을 piezo물질을 썼을 때 s-parameter 상 결과가 이상해질 수 있는지, 측정 결과에서 스미스 차트 상에서 S11이 inductance 영역으로 올라가는 이유가 이 때문일지 궁금합니다.
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> 2. HFSS 상에서 piezo 물질의 특성을 반영할 수 있는 방법이 있는지 궁금합니다.
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> 3. 제가 시뮬레이션을 올바르게 한 것인지 궁금합니다.. RF를 시작한 지 얼마 되지 않아 모르는 것이 투성이고, 시뮬레이션도 처음 진행해 결과에 확신이 없습니다. 시뮬레이션 결과가 합리적인지, CPW의 특성 임피던스 매칭은 잘 된 것인지 잘 모르겠습니다.. 부족한 점을 알려주시면 정말 감사하겠습니다.
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