TVS diode/bypass cap. 제거시 보유중인 ESD 장비의 최대치인 30.5kV까지 버티네요...
(series cap. 22pF만 실장시)
현재로서 TVS diode를 통해 protection하지 못한 이유는 clamping voltage이 device VIO 스펙을 초과해서 damage먹은것으로 예상되는 상황입니다.
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> 의문이네요..
> 아직도 커패시터가 견딜 수 있는전압범위가 있을텐데....
> 그냥 일반 22pF 달았다?
> 반대로 TVS 다이오드, 바이패스 캡을 떼고 22pF만 달아 테스트를 해도 ESD 성능에 동일한 결과를 보셨는지요?
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> 궁금해서 문의 드립니다.
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> > 22pF를 사용하고 있으며, ESD contact 조건은 150pF/330ohm입니다.
> > 시료는 10대정도 테스트 진행하였으며 22pF로 변경시 모두 pass되는 상황입니다.
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> > series cap.을 통한 ESD protection은 위에 다른분께서 언급하신 바로 HPF로서
> > defence 되는것으로 보이는데요...
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> > 1. ESD protection diode(TVS)가 왜 기본적으로 못막았었을까....
> > 2. 그림상 표현은 안되었지만 TVS와 A 사이에 bypass cap.이 있었으나 그것도 왜 못막았을까...
> > 3. series cap.으로 막았다고 할 경우, ESD energy는 어디로 빠져나갈까... (ESD 때린후 cap. 양단 전압은 0.xV정도)
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> > 입니다... ESD 참 어렵네요...
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> > > 커패시터 값이 얼마인지 궁금하네요.
> > > 그리고 일반적으로 커패시터 ESD 저감용은 병렬 연결해야 하는데요.
> > > 그 이유는 ESD도 주파수 성분을 함유 하므로 바이패스 개념으로 빠르게 그라운드로 보내야 하기
> > > 때문인데요.
> > > 실험상에서 커패시터 직렬 연결시 효과가 있다고 하니 ...
> > > 혹시 몇 대의 시료로 검토되셨는지요?
> > > 궁금하네요..
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> > > 직렬 연결은 바람직하지 않은대요. TVS 다이오드 하나 더 달아서 테스트해보심이....
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> > > > 유첨 사진과 같이 External antenna port에 ESD 인가시
> > > > Device가 죽는 상황입니다. (A=0ohm)
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> > > > A 자리를 Capacitor로 변경시 ESD protection되고 있는 상황인데요.
> > > > cap의 어떤 원리로 protection이 되는지 이해가 되지 않고 있습니다.
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> > > > 고수분들의 답변 기다리겠습니다.
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