답변감사드립니다.
일단 Function generator는 Output 모듈이 그리고 High power amplifier는 메인 트랜지스터가 망가졌다고 합니다.
일단 제가 아직 RF분야에 대해서 병아리 수준이라..
답변 주신 가정에 대해서 먼저 질문드리자면
1) power amplifier의 DC bias가 정확히 어떤것을 의미하는지, 적정하다는것이 어느정도인지
가늠을 하지 못하겠습니다. amplifier을 가동시키는 들어가는 정격전압을 이야기하는건가요? 아니면 amp 기계장치 내부 회로에 대해 의심을 하시는건가요??
일단 Amp와 Function generator 둘다 두개의 어댑터를 이용해서 줄줄이 연결하여 사용하고있고 주변에 다른기계장치들도 많이 있습니다.
2) Amp 제조사측의 최대로 Input 할 수 있는 전압은 5 dbm으로 알고 있고, 제가 실험하는 대역에서 function generator의 출력은 -30 ~ -15 dbm 정도로 여유롭게 입력을 가했다고 생각이 됩니다.
3) Micro fluid chip의 스펙은 직접 Fabrication 공정을 거쳐 금으로 만든 약 3mm 크기 정도의 interdigitated한 capacitor 형태와 SMD 타입의 50옴 저항을 병렬로 연결시켰습니다.
그리고 한쪽 단은 Signal, 한쪽단은 Ground로 구성이 되어있으며 신호는 High frequency signal을 통과시킬 수 있는 텅스텐 probe를 이용하여 인가하고 있습니다.
혹시나 이렇게 작은 array에 전압을 가하거나 케이블 연결을 해제 할때 장비에 무리가 가해지는게 가능한가요?
Function generator와 High power amplifier의 궁합이라도 안맞는걸까요.. ㅠㅠ
혹시 이메일을 알려주시면 이 두제품의 specification과 실험상의 간단한 system 모식도를 보내드릴 의향이 있습니다. 감사합니다..
> function generator 와 high power amplifier 중에 어떤 것이 망가지셨나요?
> 메인 트렌지스터가 망가지셨다고 하셨으니 저의 추측으로는 power amplifer가 망가지지 않았을까 싶습니다.
> power amplifer가 망가지셨다는 가정하에 몇가지 문제의 이유를 가정하자면,
> 1)power amplifier의 DC bias가 적정했는가
> 2)함수 생성기의 출력이 power amplifier의 입력에 적절했는가
> 3)power amplifier의 출력이 Micro-fluid chip에 적절히 연결되었는가
> 등이 있겠습니다.
>
> 테스트베드의 더 구체적인 configuration과 각 component들의 스펙을 알려주시면 더 조언해 드릴수 있습니다
> >
> >
> > 안녕하세요
> > RF에 대해서 공부하고 세포에 대해서 여러실험을 진행중인 대학원생입니다.
> > 다름이 아니라 실험을 진행함에 있어서 장비 고장문제로 고생을 하고 있습니다.
> > 실험환경은 RF (10 MHz ~ 500 MHz) 의 신호를 function generator와 high power amplifier를 이용해서 출력을 받아 Micro-fluid chip에 인가하여 전기장을 형성하고 있구요..
> >
> > 앰프와 함수발생기를 수리 및 진단을 해보면 항상 전압 과부하로 인해서 메인 트랜지스터가
> > 망가졌다고 합니다. 하지만 인가장비 스펙상 장비가 버틸수 있는 최대 MAX 전압에는 현저하게 미미한 전압대를 인가하기 때문에 어느 과정때문에 고장이 났는지 알 수 가 없습니다.
> >
> > 업체 메뉴얼대로 실험 시작하기 전과 끝난후에는 항상 전원코드를 뽑아서 보관하여 과전류가 흐르기 힘듭니다.
> >
> > 요점은,
> > 입출력 전압의 세기가 현저히 낮고, 전원코드도 항상 분리하여 장비를 보관하는데,
> > 이 외에 예상하시는 고장원인에 대해서 조언해주시면 감사하겠습니다.
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