1. 병렬부성궤환에서 저항값이 작을수록 발진을 잘 잡는다고 하셨는데, 그 이유가 궁금합니다.
제 생각에는 저항값이 작아야 전압값이 낮아져(계산식이 아닌 일반적인 이야기;;) 발진을 잡는다고 생각하기 때문입니다.
2. BJT에서 Collector에 들어가는 bias 경우 수십mA이상 전류가 흘러 저항삽입에 많은 주의를 요한다. 그이유가 궁금합니다.
3.FET의 gate bias와 BJT의 Base쪽에 저항 삽입이 용이한 이유는 전류가 uA(FET gate bias의 경우), mA(BJT base단의 경우)가 흐르고 저항값에 의해 발진전압보다 훨씬(상대적인 값) 크기 때문에 발진을 잡기 쉽기 때문입니다. 제가 생각하는 이유가 맞는지도 궁금합니다.
