실험 결과에 대하여 남겨봅니다.
결론은 저온 운용시 발진이 발생하여 나타난 현상이었습니다.
bias회로에 적당한 값이 shunt cap를 추가하니 현상이 억제되었습니다.
matching을 위한 shunt cap는 있었지만.. 상대적으로 큰 값의 capacitor가 bias 회로에서 상당한 거리를 두고 위치되어있었것이 문제가 된듯 보입니다.
답변 감사합니다.
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> 답변 감사합니다.
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> 일단 소자의 온도 특성은 무시하고 진행하고 있습니다.
> 어느 정도의 허용 오차를 감안하고 설계를 하였습니다. (약 50 이상)
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> 지속적으로 실험하여 지지난주 주말에 일단 현상은 억제 시켜노왔습니다.
> 저온에서의 발진이 맞는 듯 하네요. 데이터를 보니 그렇게 의심이 되기도 하구요..
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> 그런데 완벽하게 동일한 회로(A회로)가 한개 더 사용 되는데.. 그넘은 문제가 없고..
> 한넘은 (회로B) 문제가 있고...
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> 이게 이해가 잘 안되네요..
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> 현상을 억제 시킨것도 꼴랑 바이어스단에 capacitor를 두개 추가했네요..
> 그렇다고 기존에도 바이어스단에 capacitor를 부족하게 사용한것도 아닌데 말입니다...
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> 일단 현상 억제 후 급한 일정에 그냥 진행하였는데..
> 시간이 나면 다시 풀어야 할 숙제 인듯 합니다..
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> 답변 감사드리며..
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> 혹시나 원인이 분석되면 글을 올려보도록 하겠습니다.
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> 좋은 하루 되세요
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> > 답변 드리기 난감하긴 합니다.
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> > 실온이나 그 이상의 온도에서 정상 동작한다면 소자의 온도 특성이 문제일 수도 있고 저온에서 발진이 발생하는 경우도 있습니다.
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