Dry Etch 에서의 Plasma Arcing?

다름이 아니라 ICP type에서의 간헐적으로 일어날 수 있는 Arcing에 대해 문의드립니다.
Arcing이란 게 흔히 막 표면의 Particle이라던지 Scratch 등 전하 Chrging 량의 분균일성에 의해 일어날 수 있다고 알고 있습니다.
이를 수식으로 표현할 수 있는 근거자료가 있을까요?
단지 전하량자체를 가지고 말하는 것을 좀 더 깊게 이론적으로 표현하고자 한다면..그런 수식이나 혹은 참고할만한 자료있으면 조언좀 부탁드립니다.