인덕터를 설계가면 금속으로 설계를 하실텐데 어쩔 수 없이 크지는 않지만 인덕터를 구성하는 금속 패턴과 패턴 사이에는 일종의 커패시터가 만들어집니다. 이렇게 의도하지 않은 커패시터 성분을 기생 커패시터라고 parasitic capacitor라고 부르구요. SRF가 나타나는 이유는 인덕터의 L 값과 parasitic capacitor의 C 값이 공진을 하기 때문입니다. 따라서 SRF를 높이기 위해서는 C 값이 줄여서 SRF를 높여야 하는데요, 질문글에 포함하신 코일간의 간격을 넓힌다거나 하는 구조적인 설계들로 인해서 C 값을 줄일 수 있을 거에요.
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> 답변 감사합니다.
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> 아래도 언급했다시피 왕초보라서 용어도 정확히 파악하지 못하였습니다.
> Parasitic cap이 어떤것 의미하는지요?
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> 답변 부탁 합니다.
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> > 안녕하세요, 저는 MEMS 관련해서는 잘 모르겠지만 단순히 인덕터에 관해서만 말씀드리겠습니다.
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> > 질문글에서 언급하신 공진주파수는 Self Resonance Frequency를 이야하시는거겠죠?
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> > SRF를 높이고 싶으시면 parasitic cap을 줄이시면 되지 않을까 싶네요.
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> > > 회사에서 MEMS 인덕터 만드는 일을 하고 있습니다.
> > > 저는 MEMS 공정 개발이 주 업무이고, 인덕터에 대해서는 왕초보입니다.
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> > > 인덕터 simulation에서 S11그래프를 볼 때 Resonance frequency 가 9GHz 이상인 인덕터를 만들려고 하는데 현재 7GHz 수준입니다.
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> > > 코일간의 간격을 늘리면 원하는 수준으로 나올 수 있다고 하는데, 고수님들의 조언을 듣고 싶습니다.
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> > > 어떤 부분이든 좋으니 조언 바랍니다~
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